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lol竞猜平台-4月19日,在2017SNEC国际太阳能产业及光伏工程展上,GCL-Poly宣布新一代单晶G3硅片产品。据报道,该产品用于铸锭工艺生产单晶,具有“高产、高效、低成本、低光衰”等多项优势。来自多家电池模块企业的数据显示,单晶硅片G3和直拉单晶在常规电池工艺和PERC高效电池工艺下的效率劣势在0.5个百分点以上,同时在成本上优势较小,对光伏高效低价的发展具有根本性的意义,未来将给传统单晶技术带来深刻的变革。

单晶技术在铸锭方面取得了突破性进展,这不同于传统的直拉法生产单晶。新产品采用铸锭工艺,单次投料量较大,生产成本甚至高于“三炉合一”、“四炉合一”直拉单晶。同时,由于单晶硅片的晶向完全一致,可以用于碱织构工艺,所以开关效率与直拉法单晶产品非常相似,可以与PERC等高效电池技术集成,带来更高的产品效率。据介绍,整锭单晶晶圆G3基于近期的整锭单晶技术平台,平均单晶面积超过99%,明显高于“鑫单晶”上一代产品及业内同类产品。

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数据显示,批量生产的单晶硅片G3的电池开关效率在常规工艺下平均为19.52%,在PERC电池工艺下平均为20.85%,与某工艺的直拉法单晶效率差距不到0.5个百分点。与一定边长的直拉单晶硅片相比,整锭单晶硅片面积更大,PCB损耗更小。普通电池工艺G3硅片60个模块功率超过280-285瓦,应用于PERC工艺时平均功率为295-300瓦。

而且G3硅片还继承了铸锭工艺产品光学衰减较低的优势,与常规多晶相当,明显高于传统直拉法单晶。就终端应用而言,G3新产品同时设置了“高效率”和“低波动”的双重目标,实际效率更高。

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